大规模集成电路（Large Scale Integrated circuit）LSI的高集成化使制造过程的微型化进一步发展，伴随这个趋势光刻使用光源的波长向短波长推移，现在ArF激光(193nm)是主流。为了对应微细化线宽0.07μm，研究了F2激光(157nm)实用化。因此，有必要对光刻机上使用的镜头以及反光镜等光学部件在真空紫外领域的光学特性进行正确的评价。 V-1000用于115nm～300nm波长范围的光学特性评价。在真空紫外领域，因为氧气的原因有很强的吸收，以前都是将光路做成真空测量，但是V-1000采用吹扫性能好的机箱，可以进行氮气吹扫后测量，样品设置到测量开始可在短时间内完成。另外，因为要双单色器所以除去杂射光，***双光束方式提高测光再现性。因此，在157nm实现0.03%的测光再现性。

 

◆规格

▼V-1000

V-1000 光源 氘灯(D2) 分光器 凹面回折格子双单色器、双光束方式 入射角度 透过率5°、45°入射反射率（标准） 波长范围 115～300 nm 测光再现性 157nm附近、标准偏差:σ=0.03%以下 (对于70%以上透过材料) 选项测量 测量绝对反射率、测量偏光