| 原子层沉积系统 ald |
| 型号:： R-200标准型 |
| 价格:请致电：010-57128832,18610462672 |
| 品牌: 芬兰 产品商标: picosun™ |
产品概述 PICOSUNTM R系列反应器独特的热壁、喷淋、双腔体设计保证了最高质量的薄膜沉积。沉积的薄膜均匀性极其优异，即使衬底结构十分复杂，如多孔材料、高深宽比的沟槽或者纳米颗粒。Picosun的ALD功能强大，可以在硅平面基片，3D复杂基片及所有纳米尺度的特征器件上制备无颗粒的薄膜材料,固、液、气前驱体源更换方便。
基本特征参数 基片尺寸与类型 50 – 200 mm/单片 150mm多片/小批量 156 mm x 156 mm太阳能电池片 3D复杂表面衬底 粉末与颗粒 多孔材料及高深宽比材料 工艺温度 50 – 500 °C，可定制达650 °C高温模块 基片传送选件 气动升降（手动装载） 预真空室（Load lock） 前驱体 液态，固态，气态，臭氧，等离子体 4根独立源管线，最大加载6个前驱体源 规格 重量 350kg 尺寸 (W x H x D) 取决于配件 最小 146 cm x 146 cm x 84 cm 最大 189 cm x 206 cm x 111 cm 配套设施 电源 200-240V，单 相，50/60 Hz 保险丝3 x 16 A 功率大小根据选件而定 真空系统 推荐抽速：100 – 420 m3/h 颗粒捕集器和反应残留物燃烧室 载气 99.999 % N2 / Ar,≥ 2 slm 压缩空气 4 – 5.5 bar 冷却水 只用于干式真空泵、离子体发生器、QCM,反应器无需冷却水 排气系统 真空泵，气源柜 选件 PICOFLOW™ 扩散增强器，QCM，RGA，超高真空兼容，N2发生器，尾气处理器，定制设计，手套箱集成。
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